Folosim "cookies" pentru a va oferi cea mai placuta experienta de navigare. Avem nevoie de acordul tau explicit pentru folosirea de "cookies". Aflati detalii aici
Locatia dispozitivuluiInternalFactor de formaM.2 (2280)Capacitate de stocare1 TBSuporta canal de datePCIe 4.0 x4 (NVMe 1.3)Tehnologia pentru memorieDDR4 SDRAMFlash Memory Cell TechnologyTriple-Level CellMaximum Random Read Rate750000 IOPSMaximum Random Wr
SIM-110 foloseste dubla tehnologie (PIR cu MW), eliminand astfel alarmele false. Sensibilitatea senzorului si aria de detectie sunt ajustabile (prin potentiometru) sensibilitatea reglandu-se in functie de existenta factorilor perturbatori existenti in amb
SIM-120 foloseste dubla tehnologie (dublu PIR cu MW), eliminand astfel alarmele false. Sensibilitatea senzorului si aria de detectie sunt ajustabile (prin potentiometru) sensibilitatea reglandu-se in functie de existenta factorilor perturbatori existenti