Folosim "cookies" pentru a va oferi cea mai placuta experienta de navigare. Avem nevoie de acordul tau explicit pentru folosirea de "cookies". Aflati detalii aici
Sursa de alimentare CCTV 12V/3A cu back-up in carcasa plastic, posibilitate adaugare acumulator de 12V/7Ah. Eficienta: 82% / <100 mV. Sursa de alimentare dispune de protectie la: scurt circuit, supratensiune, descarcare electrica. Prevazuta cu indi
Sursa de alimentare CCTV 12V/10A cu back-up in carcasa plastic, posibilitate adaugare acumulator de 12V/18Ah sau 2 buc 12V/7Ah. Eficienta: 82% / <100 mV. Sursa de alimentare dispune de protectie la: scurt circuit, supratensiune, descarcare electric
Locatia dispozitivuluiPlug-in CardFactor de formaM.2 (2280)Capacitate de stocare1 TBSuporta canal de datePCIe NVMe 3.0 x4Tehnologia pentru memorieNAND FlashFlash Memory Cell TechnologyQuad-Level CellMaximum Random Read Rate220000 IOPSMaximum Random Write
Sursa de alimentare CCTV 12V/5A cu back-up in carcasa plastic, posibilitate adaugare acumulator de 12V/7Ah. Eficienta: 82% / <100 mV. Sursa de alimentare dispune de protectie la: scurt circuit, supratensiune, descarcare electrica. Prevazuta cu indi
Locatia dispozitivuluiPlug-in CardFactor de formaM.2 (2280)Capacitate de stocare1 TBSuporta canal de datePCIe NVMe 3.0 x4Tehnologia pentru memorieNAND FlashFlash Memory Cell TechnologyQuad-Level CellAccesorii incluseScurt ghid de utilizareMaximum Random R
Locatie dispozitivPlug-in CardFactor formaM.2 (2280)Capacitate de stocare2 TBSuporta canal de datePCIe NVMe 3.0 x4Tehnologia pentru memorieNAND FlashFlash Memory Cell TechnologyQuad-Level CellAccesorii incluseScurt Ghid de utilizareMaximum Random Read Rat
Locatia dispozitivuluiPlug-in CardFactor de formaM.2 (2280)Capacitate de stocare2 TBSuporta canal de datePCIe NVMe 3.0 x4Tehnologia pentru memorieNAND FlashFlash Memory Cell TechnologyQuad-Level CellMaximum Random Read Rate220000 IOPSMaximum Random Write
Locatia dispozitivuluiPlug-in CardFactor de formaM.2 (2280)Capacitate de stocare512 GBSuporta canal de datePCIe NVMe 3.0 x4Tehnologia pentru memorieNAND FlashFlash Memory Cell TechnologyQuad-Level CellMaximum Random Read Rate90000 IOPSMaximum Random Write
Locatia dispozitivuluiPlug-in CardFactor de formaM.2 (2280)Capacitate de stocare2 TBSuporta canal de datePCIe NVMe 3.0 x4Tehnologia pentru memorieNAND FlashFlash Memory Cell TechnologyQuad-Level CellMaximum Random Read Rate220000 IOPSMaximum Random Write