Folosim "cookies" pentru a va oferi cea mai placuta experienta de navigare. Avem nevoie de acordul tau explicit pentru folosirea de "cookies". Aflati detalii aici
Item NumberPEIFC01ProcesorHiSilicon Hi3518E V200Flash25Q128FVSGEpromAT88SC0104CACompatibilitateAndroid (versiunea 5.1 și mai nouă), iOS (versiunea 12 și mai nouă)Tehnologia de comunicareWi-Fi (IEEE 802.11b/g/n)Frecvența de funcționare2.4 GHzWEP/WPA2 Encry
Item NumberPEIRC01ProcesorHiSilicon Hi3518E V200Flash25Q128FVSGEpromAT88SC0104CACompatibilitateAndroid (versiunea 5.1 și mai nouă), iOS (versiunea 12 și mai nouă)Tehnologia de comunicareWi-Fi (IEEE 802.11b/g/n)Frecvența de funcționare2.4 GHzWEP/WPA2 Encry
Locatia dispozitivuluiPlug-in CardFactor de formaM.2 (2280)Capacitate de stocare1 TBSuporta canal de datePCIe NVMe 3.0 x4Tehnologia pentru memorieNAND FlashFlash Memory Cell TechnologyQuad-Level CellMaximum Random Read Rate220000 IOPSMaximum Random Write
Locatia dispozitivuluiPlug-in CardFactor de formaM.2 (2280)Capacitate de stocare1 TBSuporta canal de datePCIe NVMe 3.0 x4Tehnologia pentru memorieNAND FlashFlash Memory Cell TechnologyQuad-Level CellAccesorii incluseScurt ghid de utilizareMaximum Random R
Locatie dispozitivPlug-in CardFactor formaM.2 (2280)Capacitate de stocare2 TBSuporta canal de datePCIe NVMe 3.0 x4Tehnologia pentru memorieNAND FlashFlash Memory Cell TechnologyQuad-Level CellAccesorii incluseScurt Ghid de utilizareMaximum Random Read Rat
Locatia dispozitivuluiPlug-in CardFactor de formaM.2 (2280)Capacitate de stocare2 TBSuporta canal de datePCIe NVMe 3.0 x4Tehnologia pentru memorieNAND FlashFlash Memory Cell TechnologyQuad-Level CellMaximum Random Read Rate220000 IOPSMaximum Random Write
Locatia dispozitivuluiPlug-in CardFactor de formaM.2 (2280)Capacitate de stocare512 GBSuporta canal de datePCIe NVMe 3.0 x4Tehnologia pentru memorieNAND FlashFlash Memory Cell TechnologyQuad-Level CellMaximum Random Read Rate90000 IOPSMaximum Random Write
Locatia dispozitivuluiPlug-in CardFactor de formaM.2 (2280)Capacitate de stocare2 TBSuporta canal de datePCIe NVMe 3.0 x4Tehnologia pentru memorieNAND FlashFlash Memory Cell TechnologyQuad-Level CellMaximum Random Read Rate220000 IOPSMaximum Random Write