Folosim "cookies" pentru a va oferi cea mai placuta experienta de navigare. Avem nevoie de acordul tau explicit pentru folosirea de "cookies". Aflati detalii aici
Locatia dispozitivuluiPlug-in CardFactor de formaM.2 (2280)Capacitate de stocare1 TBSuporta canal de datePCIe NVMe 3.0 x4Tehnologia pentru memorieNAND FlashFlash Memory Cell TechnologyQuad-Level CellMaximum Random Read Rate220000 IOPSMaximum Random Write
Locatia dispozitivuluiPlug-in CardFactor de formaM.2 (2280)Capacitate de stocare1 TBSuporta canal de datePCIe NVMe 3.0 x4Tehnologia pentru memorieNAND FlashFlash Memory Cell TechnologyQuad-Level CellAccesorii incluseScurt ghid de utilizareMaximum Random R
Locatie dispozitivPlug-in CardFactor formaM.2 (2280)Capacitate de stocare2 TBSuporta canal de datePCIe NVMe 3.0 x4Tehnologia pentru memorieNAND FlashFlash Memory Cell TechnologyQuad-Level CellAccesorii incluseScurt Ghid de utilizareMaximum Random Read Rat
SIM-110 foloseste dubla tehnologie (PIR cu MW), eliminand astfel alarmele false. Sensibilitatea senzorului si aria de detectie sunt ajustabile (prin potentiometru) sensibilitatea reglandu-se in functie de existenta factorilor perturbatori existenti in amb
SIM-120 foloseste dubla tehnologie (dublu PIR cu MW), eliminand astfel alarmele false. Sensibilitatea senzorului si aria de detectie sunt ajustabile (prin potentiometru) sensibilitatea reglandu-se in functie de existenta factorilor perturbatori existenti
Locatia dispozitivuluiPlug-in CardFactor de formaM.2 (2280)Capacitate de stocare2 TBSuporta canal de datePCIe NVMe 3.0 x4Tehnologia pentru memorieNAND FlashFlash Memory Cell TechnologyQuad-Level CellMaximum Random Read Rate220000 IOPSMaximum Random Write
Locatia dispozitivuluiPlug-in CardFactor de formaM.2 (2280)Capacitate de stocare512 GBSuporta canal de datePCIe NVMe 3.0 x4Tehnologia pentru memorieNAND FlashFlash Memory Cell TechnologyQuad-Level CellMaximum Random Read Rate90000 IOPSMaximum Random Write
Locatia dispozitivuluiPlug-in CardFactor de formaM.2 (2280)Capacitate de stocare2 TBSuporta canal de datePCIe NVMe 3.0 x4Tehnologia pentru memorieNAND FlashFlash Memory Cell TechnologyQuad-Level CellMaximum Random Read Rate220000 IOPSMaximum Random Write