Folosim "cookies" pentru a va oferi cea mai placuta experienta de navigare. Avem nevoie de acordul tau explicit pentru folosirea de "cookies". Aflati detalii aici
Halogen-free, rezistent la flacara, in acord cu standardul EN 60331-21, EN50200, TS 13767 Intergitatea izolatiei construita sa reziste 180 min in flacara fara sa fie distrusa, in acord cu standardele IEC 60331-21 Rezistenta max. bucla 73.20 Ω /
Halogen-free, rezistent la flacara, in acord cu standardul EN 60331-21, EN50200, TS 13767 Intergitatea izolatiei construita sa reziste 180 min in flacara fara sa fie distrusa, in acord cu standardele IEC 60331-21 Rezistenta max. bucla 73.20 Ω /
Halogen-free, rezistent la flacara, in acord cu standardul EN 60331-21, EN50200, TS 13767 Intergitatea izolatiei construita sa reziste 180 min in flacara fara sa fie distrusa, in acord cu standardele IEC 60331-21 Rezistenta max. bucla 73.20 Ω /
Halogen-free, rezistent la flacara, in acord cu standardul EN 60331-21, EN50200, TS 13767 Intergitatea izolatiei construita sa reziste 180 min in flacara fara sa fie distrusa, in acord cu standardele IEC 60331-21 Rezistenta max. bucla 73.20 Ω /
Rezistent la flacara, in acord cu standardul EN 60332-1-2 Rezistenta max. bucla 73.20 Ω / km la 20°C Culori fire conform VDE 0815: rosu/albastru Temperatura operare -30°C pâna la +70°C Tensiunea nominala de ope
Rezistent la flacara, in acord cu standardul EN 60332-1-2 Rezistenta max. bucla 73.20 Ω / km la 20°C Culori fire conform VDE 0815: rosu/albastru, galben/gri Temperatura operare -30°C pâna la +70°C Tensiunea nom
Locatia dispozitivuluiPlug-in CardFactor de formaM.2 (2280)Capacitate de stocare1 TBSuporta canal de datePCIe NVMe 3.0 x4Tehnologia pentru memorieNAND FlashFlash Memory Cell TechnologyQuad-Level CellMaximum Random Read Rate220000 IOPSMaximum Random Write
Locatia dispozitivuluiPlug-in CardFactor de formaM.2 (2280)Capacitate de stocare1 TBSuporta canal de datePCIe NVMe 3.0 x4Tehnologia pentru memorieNAND FlashFlash Memory Cell TechnologyQuad-Level CellAccesorii incluseScurt ghid de utilizareMaximum Random R
Locatie dispozitivPlug-in CardFactor formaM.2 (2280)Capacitate de stocare2 TBSuporta canal de datePCIe NVMe 3.0 x4Tehnologia pentru memorieNAND FlashFlash Memory Cell TechnologyQuad-Level CellAccesorii incluseScurt Ghid de utilizareMaximum Random Read Rat
Halogen-free, rezistent la flacara, in acord cu standardul EN 60331-21, EN50200, TS 13767 Intergitatea izolatiei construita sa reziste 180 min in flacara fara sa fie distrusa, in acord cu standardele IEC 60331-21 Rezistenta max. bucla 24.20 Ω /
Halogen-free, rezistent la flacara, in acord cu standardul EN 60331-21, EN50200, TS 13767 Intergitatea izolatiei construita sa reziste 180 min in flacara fara sa fie distrusa, in acord cu standardele IEC 60331-21 Rezistenta max. bucla 24.20 Ω /
Locatia dispozitivuluiPlug-in CardFactor de formaM.2 (2280)Capacitate de stocare2 TBSuporta canal de datePCIe NVMe 3.0 x4Tehnologia pentru memorieNAND FlashFlash Memory Cell TechnologyQuad-Level CellMaximum Random Read Rate220000 IOPSMaximum Random Write
Locatia dispozitivuluiPlug-in CardFactor de formaM.2 (2280)Capacitate de stocare512 GBSuporta canal de datePCIe NVMe 3.0 x4Tehnologia pentru memorieNAND FlashFlash Memory Cell TechnologyQuad-Level CellMaximum Random Read Rate90000 IOPSMaximum Random Write
Locatia dispozitivuluiPlug-in CardFactor de formaM.2 (2280)Capacitate de stocare2 TBSuporta canal de datePCIe NVMe 3.0 x4Tehnologia pentru memorieNAND FlashFlash Memory Cell TechnologyQuad-Level CellMaximum Random Read Rate220000 IOPSMaximum Random Write